Étape 4: Conception fiche & calculs
(Légendes d’image: (1) caractéristiques de la photodiode X100-7: 100 mm ^ 2 zone active, zone de 0,9 mm appauvri, lumière bloque enduit, faible courant d’obscurité... Comme le montre le graphique de probabilité d’absorption, diodes PiN absorbent facilement l’énergie gamma-ray, (2) deux X100-7 monté sur le circuit imprimé, calcul des dépôts frais (3) pour Americium−241)
Un parti dominant des détecteurs à semi-conducteurs est l’énergie d’ionisation petit (E), indépendante de l’énergie et le type de rayonnement incident. Cette simplification permet au compte nombre de paires électron-trou sur le plan de l’énergie du rayonnement incident, prévue de que la particule est complètement arrêtée dans le volume actif du détecteur. Pour le silicium à 23 C (*) nous avons E ~ 3,6 eV. En supposant que toute l’énergie est déposé et utilisant l’énergie d’ionisation, nous pouvons calculer la quantité d’électrons produit par une source donnée. Par exemple, donnerait un 60keV rayons gamma provenant d’une source de Americium−241 :-Voir l’équation sur la photo ci - et ce qui a entraîné une charge déposée de 0,045 fC/keV.
Comme indiqué dans les spécifications de la fiche de diode, au-dessus d’une tension de polarisation d’environ ~ 15V la région de déplétion peut être approchée aussi constante. Ceci définit la plage de la cible pour notre tension de polarisation à 12−15V.
(*: E augmente avec la température.)
