Étape 2: Concevoir un schéma de l’onduleur
Créer un schéma de votre onduleur :
1. sélectionnez "Lab4" bibliothèque créée dans la dernière étape
2. créer un nouvel affichage de la cellule en allant dans fichier ⇒ ⇒ nouvel cellulaire vue
3. nom de l’affichage de la cellule "Inverter" [Fig. 1]
4. définir la vue d’être « schématique » [Fig. 1]
5. sélectionnez le type comme « schématique » dans la liste déroulante [Fig. 1]
6. Cliquez sur OK
7. ouvrir le schéma en le sélectionnant dans le gestionnaire de bibliothèques [figure 2]
A. Sélectionnez la bibliothèque « Lab4 » dans le gestionnaire de bibliothèques
B. Sélectionnez la vue de cellule « Inverter » dans le gestionnaire de bibliothèques
C. double-cliquez sur la vue « schématique »
8. Insérer une instance d’un NMOS de la bibliothèque "NCSU_Analog_Parts"
A. Sélectionnez créer ⇒ Instance ou clé de succès du « i » [Fig. 3]
B. cliquez sur « Browse » à côté de l’entrée de bibliothèque vide [Fig. 4]
C. Sélectionnez Bibliothèque de « Pièces de NCSU_Analog » dans le menu déroulant ci-bas [figure 5]
D. Sélectionnez « N_Transistors »
E. Sélectionnez « nmos4 » (fig 6)
Instance de F. Place NMOS dans la fenêtre schéma [fig 7]
9. Insérer une Instance d’un PMOS de la bibliothèque "NCSU_Analog_Parts" (fig 8)
• La procédure est identique à ce qui, à l’étape 8, sauf « P_Transistors » doit être sélectionné suivi par la cellule « nmos4 ». Si la forme de l’instanciation contienne les informations pour le NMOS le champ de la cellule peut être modifié à « pmos4 » au lieu de navigation de la vue.
• Veillez à changer la taille de l’OMP à 4.5um. Afin d’atteindre une élévation égale et tomber fois la taille des transistors PMOS dans un réseau de pull-up doit être trois fois taille minimale. Taille minimale dans notre processus est 1.5um. La mobilité des électrons, µp, d’un PMOS est 1/3 celle d’un NMOS, menant à la vitesse et les différences de résistance effective entre les types de deux transistors.
10. Place broches d’alimentation
A. Sélectionnez créer ⇒Pin... ou une clé de succès le « p »
B. Entrez « Vin Vout » au nom de la forme de l’instanciation de broche (fig 9)
C. Sélectionnez « Entrées-sorties » sous la Direction (fig 9)
D. cliquez dans la fenêtre schéma de placer la goupille de la DMV (fig 10)
• La broche de la DMV doit être placé à proximité de la source de l’OMP
E. Cliquez une deuxième fois dans la fenêtre schéma de placer la goupille de Vss (fig 10)
• La broche de la DMV doit être placé à proximité de la source de la NMOS
11. Placer l’entrée Pin
• La broche d’entrée doit être placée à gauche près des portes des Transistors (fig 12)
• La « Direction » de la broche d’entrée doit être sur « entrée ». [figure 11]
12. Place la broche de sortie
• La broche de sortie doit être placée à droite près des vidanges des transistors. (fig 12)
• La « Direction » de la broche de sortie doit être sur « la puissance ».
13. fil l’onduleur (fig 13)
A. Sélectionnez l’outil fil en cliquant sur Create ⇒Wire (étroit) ou en appuyant sur « w »
B. cliquez sur une épingle ou un transistor, puis un autre pour relier les deux
• Les drains PMOS et NMOS sont câblés à la sortie
• La source PMOS et en vrac sont câblés avec VDD
• La source NMOS et en vrac sont câblés à Vss
• Les mandats postaux et les portes de NMOS sont câblés à l’entrée
L’onduleur rempli schématique est maintenant prêt pour la mise en page. [figure 13] N’oubliez pas de bien documenter votre travail et préparer des captures d’écran pour votre rapport de laboratoire.
