Étape 5: Comment choisir des MOSFET :
Dans mon contrôleur de charge, j’ai utilisé deux MOSFET est pour contrôler le débit d’alimentation du panneau solaire à batterie et autre est à la charge de conduire. Quand j’ai commencé à travailler avec le MOSFET, peu confus comment choisir un bon. Après avoir lu de nombreux forum j’ai trouvé qu’il est si facile. Je pense que chacun peut choisir le MOSFET en utilisant quelques lignes directrices. Voici les quelques paramètres importants dont vous aurez besoin lors de choisir un bon MOSFET.
Remarque :
J’ai conçu le régulateur de charge selon ma condition, vous devez choisir les MOSFETs selon l’exigence de votre système. Le régulateur de charge de note est le plus souvent dépend de la notation de MOSFET. Afin de choisir avec soin.
1. N ou p canal :
Quand un MOSFET est relié à la masse et la charge est branchée pour tension d’alimentation, il est réputé être un interrupteur côté bas. Dans un commutateur du côté bas, l'on utilise un appareil de canal n. Mon régulateur de charge, j’ai utilisé IRF 540 pour la conduite de la charge.
Un interrupteur à haute pression est utilisé lorsque le MOSFET est connecté à la tension d’alimentation et la charge est branchée à la terre. Un MOSFET canal p est généralement utilisé dans cette topologie. J’ai utilisé IRF 9530 le MOSFET de commutation principal de PWM.
Voir les schémas comment la charge est branchée dans les deux cas.
2. drain Source tension Vds :
Lorsque le MOSFET est éteint, la tension d’alimentation entière sera mesurable à travers elle, donc cette cote doit être supérieure à votre tension d’alimentation pour fournir une protection suffisante afin que le MOSFET ne manque pas. La tension maximale que peut gérer un MOSFET varie avec la température.
3. Drain continu courant Ids :
Il s’agit de la quantité de courant que le MOSFET peut gérer. Vous devez simplement sélectionner l’appareil qui peut gérer le montant maximal de surintensités y comprises ou « pics ». Courant nominal diminue également avec l’élévation de température.
Garder une marge suffisante en Ids.It est donc préférable de prendre le courant nominal @ 125deg Cel.
4. RDS (on) :
Quand un MOSFET est "on", il agit comme une résistance variable déterminée par le RDS (on) qui change avec la température avec une dissipation de puissance calculée par Iload2 x RDS (on). Afin de choisir un MOSFET avec la plus petite valeur de RDS (on).
5. perte thermique :
On le retrouve de fiches techniques : la température de jonction maximale et la résistance thermique de la jonction à-de l’air ambiant pour le package. Température de jonction de l’appareil est égale à la température ambiante maximale plus le produit de la résistance thermique et la dissipation d’énergie (température de jonction = température ambiante + (résistance thermique x puissance dissipée)).
6. VGS(th) de tension de seuil de porte :
Il s’agit de la tension minimale requise entre les bornes du porte et source pour allumer le MOSFET. Il va falloir plus que cela pour l’allumer complètement.
7. perte de commutation :
Charge et décharge le capacitance(Cgs) porte contribuent aux pertes de commutation. Cette perte dépend aussi de la fréquence de découpage. Pertes augmente avec la fréquence de commutation supérieure et porte à la capacité de la source.
En dehors de cela, il y a plusieurs autres paramètres dont il faut tenir compte pour une bonne conception. Pour nous, je pense que c’est suffisant.
Pour plus de détails sur comment choisir un clic droit de MOSFET ici
MOSFET de puissance a opération de limitations en termes de tension, courant et puissance dissipée. Le courant nominal de puissance MOSFET est en rapport avec la chaleur dissipée dans les appareils. Cette évaluation prendra en considération pour la conception de circuit approprié pour protéger puissance MOSFET contre la haute tension et courant, donc production de chaleur à cause.
J’ai utilisé un MOSFET canal p (IRF9530) pour basculer entre panneau solaire et batterie et un MOSFET à canal n (IRF540) pour la charge.
Pour système nominal supérieur, vous devrez choisir le MOSFET en conséquence.
