Étape 12 : Plus d’informations
C’est un circuit très efficace et est ce qui est utilisé dans la plupart des puces SRAM, mais j’ai découvert que ce n’est pas un circuit parfait. Rappelez-vous comment je l’ai dit plus tôt que la résistance n’était pas suffisant pour changer l’état du circuit ? Eh bien, il s’avère que, il y a un pic très bref actuel lorsque le circuit est sous tension. Cette pointe dure moins d’une milliseconde, mais il est aussi haut que 100 milliampères. Ce pic est causée par la précipitation actuelle dedans par l’intermédiaire de l’activation et à la terre par le biais de la sortie de l’onduleur. Ce spike est très brève car lorsque l’onduleur s’éteint, pas plus de courant circule. Ce pic peut être réduite en utilisant des petits transistors MOSFET (comme sur un circuit intégré) qui ont des capacités inférieures et en regroupant les plus près, tout ce qui réduit encore davantage la capacité.
Il s’agit du circuit de mémoire moins complex, que j’ai construit jusqu'à présent. J’ai fait une RAM de TTL en utilisant un SR Flip Flop et j’ai fait une RAM CMOS qui utilise un verrou D, et j’ai mis en place que dans un 1 octet de RAM pour votre microcontrôleur préféré.
Finalement je vais essayer un circuit DRAM et si je peux trouver quelques noyaux de ferrite à moindre coût (< 5 $ pour 100 +), je pourrais essayer de faire un mémoire centrale!!!